Игорь Кортунов (igkort) wrote,
Игорь Кортунов
igkort

Российской высокотемпературной микроэлектронике – быть!

Оригинал взят у gmorder в Российской высокотемпературной микроэлектронике – быть!

mikron_2020_new_0.jpg
В России начат крупный проект по созданию специализированных прикладных технологических решений, обеспечивающих работоспособность элементной базы при температуре до 250 градусов Цельсия. Пока для нашей страны это новая технология, мы до сих пор закупаем за рубежом электронно-компонентную базу (ЭКБ), например, для автоматического контроля ряда узлов буровых установок, авиационных и транспортных двигателей.

В проекте задействованы ключевые российские предприятия отрасли: АО «НИИ Молекулярной электроники и завод «Микрон», Национальный исследовательский университет «МИЭТ» и АО «Зеленоградский нанотехнологический центр» (АО «ЗНТЦ»). Разработки поддерживают федеральными деньгами и включены в список приоритетных на 2014-2020 годы. Созданные по новой технологии высокотемпературные компоненты найдут применение в приборах, работающих в экстремальных условиях, при управлении химическими процессами, а также для усиления и обработки сигналов датчиков в промышленном оборудовании, работающем при повышенных температурах в нефтегазовой промышленности, энергетике и промышленной автоматике.

Как сообщают участники проекта из ЗНТЦ, базовая технология изготовления высокотемпературных микросхем в России уже существует (зеленоградский «Микрон» ей располагаеат). Однако, для работ в условиях высоких температур нужна модернизация её отдельных блоков. В основе технологии лежит использование специальных материалов – структур «кремний на изоляторе» (КНИ), микроплёночных конденсаторов. Но главное – это изменения в системах металлизации микросхем, необходимые для того, чтобы они выдерживали повышенную температуру и нагрузку. Это требует разработки каждого элемента, формирования новых правил проектирования, библиотек элементов. Конечная цель в том, чтобы любой схемотехник, которому нужно разработать и произвести такой комплект микросхем или их серию на заводе, смог получить открытый доступ к технологической базе, библиотеке элементов и правилам проектирования, – говорят разработчики.

Сообщается также, что сейчас такая элементная база востребована не только в ракетно-космической технике, но и в приборостроении для нефтегазовой промышленности, энергетике и двигателестроении.

В ходе выполнения проекта разрабатываются две основные технологии с проектными нормами 180 нанометров (0,18 микрон) и 0,5 микрон. НИУ МИЭТ отвечает за прикладные научные исследования и часть экспериментальных работ, включающих компьютерное моделирование технологических параметров, изготовление и испытание макетов, разработку правил проектирования, обобщение результатов. Зеленоградский наноцентр отрабатывает технологические маршруты на линии. Проектируется библиотека элементов, а также разрабатывается технология тонкоплёночных MIM-конденсаторов. Это сложный технологический приём с использованием атомно-слоевого осаждения (в английской транскрипции – ALD) для высокотемпературной электроники.

На площадке ЗНТЦ будет вестись мелкосерийное производство специализированных групп изделий. На «Микроне», где апробируются обе технологии, планируется наладить серийный выпуск высокотемпературной ЭКБ с проектными нормами 180 нанометров и 90 нанометров. Разработчики особо подчеркивают 100%-российское право на интеллектуальную собственность в новом проекте. Также они говорят о желании «замкнуть всю технологическую цепочку от разработки до испытаний в России».

Описанный проект не является быстрым, но он жизненно необходим, если мы хотим вести речь о независимости нашей большой страны от разного рода внешних факторов в мировом политическом и экономическом поле. Добавим, что разработка принципиально новых российских приборов с использованием своей высокотемпературной микроэлектроники потребует еще около 2 дополнительных лет.


Subscribe
  • Post a new comment

    Error

    Anonymous comments are disabled in this journal

    default userpic

    Your IP address will be recorded 

  • 0 comments